BSC100N10NSFGATMA1 vs BSC118N10NSGATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC100N10NSFGATMA1 מאת Infineon ו BSC118N10NSGATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
BSC100N10NSFGATMA1 - 100V OptiMOS N-Channel MOSFET, 10mΩ | Infineon
BSC100N10NSFGATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | BSC100N10NSFGATMA1 | BSC118N10NSGATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID), Ta | 11.4 A | — |
| Continuous Drain Current (ID), Tc | 90 A | — |
| Power Dissipation (PD), Tc | 156 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 10 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] | — |
| מארז | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5x6 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +150C (junction) | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V (for rated RDS(on)) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS 2 |
| Mode | — | Enhancement (Normal Level) |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 11 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 71 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 114 W |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55 C to +150 C |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| נטול הלוגנים | — | Yes |
| JEDEC Qualification | — | Qualified per target application |
| Target Application | — | High-frequency SMPS, synchronous rectification |
| Gate Charge x RDS(on) FOM | — | Excellent (per datasheet) |