BSC117N08NS5ATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC117N08NS5ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC076N06NS3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC117N08NS5ATMA1 BSC076N06NS3GATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC117N08NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 N-Channel Trench MOSFET
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) max 49 A (Tc) —
On-State Resistance (RDS(on)) max 11.7 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 50 W 69 W
پیکیج PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 8 —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] 2.0 V to 3.5 V
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] [DATA_NEEDED: Qg value]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +150 C (typical MOSFET junction) -55C to +150C
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Lead-Free Yes —
MSL لیول 1 1 (unlimited)
Product Family — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 50 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 7.6 mΩ
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 10.4 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RoHS Compliance — Compliant
ہیلوجن فری — Yes (per Infineon product page)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں