BSC117N08NS5ATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC117N08NS5ATMA1 מאת Infineon ו BSC076N06NS3GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSC117N08NS5ATMA1 | BSC076N06NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC117N08NS5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 | N-Channel Trench MOSFET |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) max | 49 A (Tc) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 11.7 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 50 W | 69 W |
| מארז | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| מספר פינים | 8 | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | 2.0 V to 3.5 V |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 C to +150 C (typical MOSFET junction) | -55C to +150C |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| רמת MSL | 1 | 1 (unlimited) |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 50 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 7.6 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | 10.4 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| נטול הלוגנים | — | Yes (per Infineon product page) |