BSC146N10LS5ATMA1 vs BSC027N10NS5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC146N10LS5ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC027N10NS5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC146N10LS5ATMA1 BSC146N10LS5ATMA1 - 100V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC146N10LS5ATMA1 - 100V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC146N10LS5ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC146N10LS5ATMA1 BSC027N10NS5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال NRND
Technology OptiMOS 5 (logic-level) OptiMOS 5 (100V)
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C 44 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: IDM] —
RDS(on) max at VGS=10 V 14.6 mOhm —
RDS(on) max at VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level (typ. ~1.7 V) —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 3 W
Power Dissipation (Tc) 52 W 214 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +150 C (TJ max) [DATA_NEEDED: Tj min/max]
پیکیج PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: EAS] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC027N10NS5ATMA1
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 23 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 194 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.7 mOhm
Qualification — Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں