BSP129H6327XTSA1 vs BSS127H6327XTSA2 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSP129H6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSS127H6327XTSA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 - 600V N-Ch MOSFET, 21mA, SOT-23 | Infineon

BSS127H6327XTSA2 - 600V N-Ch MOSFET, 21mA, SOT-23 | Infineon

BSS127H6327XTSA2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSP129H6327XTSA1 BSS127H6327XTSA2
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel, Depletion Mode N-Channel SIPMOS, enhancement mode
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 350 mA —
On-Resistance RDS(on) max 4.2 ohm (some sources 6 ohm) —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.8 W —
پیکیج PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+Tab) SOT-23-3 (PG-SOT23)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت -55 C to +150 C (junction) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Threshold Voltage VGS(off) [DATA_NEEDED: depletion threshold VGS(off)] —
dv/dt Ruggedness Yes (rated) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (lead-free)
Lead-Free Yes —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Process Technology SIPMOS (vertical DMOS) —
Drain Terminal Tab (pin 4) —
Continuous Drain Current (ID) — 21 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4.5 V (logic level, rated)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 500 ohm at ID = 21 mA
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW (Ta)
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 C to +150 C
پن کی تعداد — 3
dv/dt Rated — Yes
ہیلوجن فری — Yes, per IEC 61249-2-21

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں