BSP316PH6327XTSA1 vs BSL308PEH6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSP316PH6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSL308PEH6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 - P-Ch 100V 680mA MOSFET | Infineon | SOT-223

BSP316PH6327XTSA1 - P-Ch 100V 680mA MOSFET | Infineon | SOT-223

BSP316PH6327XTSA1 ✓ فعال
Infineon
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 - 30V 2A Dual P-Ch MOSFET | Infineon

BSL308PEH6327XTSA1 - 30V 2A Dual P-Ch MOSFET | Infineon

BSL308PEH6327XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSP316PH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type P-Channel 2x P-Channel (Dual)
Drain-to-Source Voltage (VDS) -100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -680 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C 1.8 W —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
پیکیج PG-SOT223-4 (TO-261-4) PG-TSOP6-6 (TSOT-23-6)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +150 C (junction) —
پنز کی تعداد 3 + thermal tab 6
Channel Mode Enhancement Enhancement
Technology SIPMOS (P-channel MOSFET) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 1 —
Packaging Tape & Reel (H6327 suffix) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS
Drain-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) — -2 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
Configuration — Dual, common source
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55 C to +150 C (TJ)
Automotive Qualification — AEC-Q101
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V / 4.5V]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں