BSP89H6327XTSA1 vs BSR316PH6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSP89H6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSR316PH6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 - 240V N-Ch SIPMOS MOSFET, 350mA | Infineon

BSP89H6327XTSA1 - 240V N-Ch SIPMOS MOSFET, 350mA | Infineon

BSP89H6327XTSA1 ✓ فعال
Infineon
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 - 100V P-Ch MOSFET 360mA SC-59 | Infineon

BSR316PH6327XTSA1 - 100V P-Ch MOSFET 360mA SC-59 | Infineon

BSR316PH6327XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSP89H6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET, enhancement mode —
Technology SIPMOS (planar power MOS) —
Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) 240 V (VGS=0, ID=250 µA) —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 0.35 A —
Total Power Dissipation (Ptot) at Ta=25°C 1.8 W (on FR4 PCB, 6 cm² cooling area) —
On-State Resistance (RDS(on)) max 6 Ω (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +150 °C (Tj) -55 C to +150 C (junction)
Thermal Resistance Junction-Ambient (RthJA) 70 K/W (6 cm² PCB) —
Thermal Resistance Junction-Solder Point (RthJS) 25 K/W —
پیکیج PG-SOT223-4 (SOT-223, 4-pin with tab) PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-23 equivalent)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Logic-Level Gate Drive Yes (logic-level compatible) —
dv/dt Rated Yes —
ESD Protection Internal gate-source Zener —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per ordering code H6327) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSR316PH6327XTSA1
Series — OptiMOS
FET Type — P-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA — -360 mA
Continuous Drain Current (ID) at TC — [DATA_NEEDED: ID at TC specific value]
On-State Resistance RDS(on) max — 1800 mOhm at VGS = -10 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — -1.7 V typical, -2.5 V max
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total]
Power Dissipation (Tc) — 500 mW
Qualification — Automotive
MSL لیول — 1
Polarity — P-Channel

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں