BSP89H6327XTSA1 vs BSR316PH6327XTSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSP89H6327XTSA1 توسط Infineon و BSR316PH6327XTSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 - 240V N-Ch SIPMOS MOSFET, 350mA | Infineon

BSP89H6327XTSA1 - 240V N-Ch SIPMOS MOSFET, 350mA | Infineon

BSP89H6327XTSA1 ✓ فعال
Infineon
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 - 100V P-Ch MOSFET 360mA SC-59 | Infineon

BSR316PH6327XTSA1 - 100V P-Ch MOSFET 360mA SC-59 | Infineon

BSR316PH6327XTSA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSP89H6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET, enhancement mode —
Technology SIPMOS (planar power MOS) —
Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) 240 V (VGS=0, ID=250 µA) —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 0.35 A —
Total Power Dissipation (Ptot) at Ta=25°C 1.8 W (on FR4 PCB, 6 cm² cooling area) —
On-State Resistance (RDS(on)) max 6 Ω (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
محدوده دمای کاری -55 °C to +150 °C (Tj) -55 C to +150 C (junction)
Thermal Resistance Junction-Ambient (RthJA) 70 K/W (6 cm² PCB) —
Thermal Resistance Junction-Solder Point (RthJS) 25 K/W —
بسته‌بندی PG-SOT223-4 (SOT-223, 4-pin with tab) PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-23 equivalent)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Logic-Level Gate Drive Yes (logic-level compatible) —
dv/dt Rated Yes —
ESD Protection Internal gate-source Zener —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per ordering code H6327) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSR316PH6327XTSA1
Series — OptiMOS
FET Type — P-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA — -360 mA
Continuous Drain Current (ID) at TC — [DATA_NEEDED: ID at TC specific value]
On-State Resistance RDS(on) max — 1800 mOhm at VGS = -10 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — -1.7 V typical, -2.5 V max
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total]
Power Dissipation (Tc) — 500 mW
Qualification — Automotive
سطح MSL — 1
Polarity — P-Channel

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت