BSS123IXTSA1 vs BSS123NH6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSS123IXTSA1 بذریعہ Infineon اور BSS123NH6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSS123IXTSA1 BSS123NH6327XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS Small-Signal —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 190 mA —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 500 mW —
RDS(on) (typical, VGS=10 V) 2.4 ohm —
RDS(on) (max per family datasheet) 6 ohm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)]
پیکیج PG-SOT-23-3 (SOT-23-3) PG-SOT23 (SOT-23-3)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (per family datasheet) -55 °C to +150 °C (junction)
Qualification Industrial AEC-Q101 (automotive)
Configuration Single N-Channel —
Lead-Free / RoHS Yes (per distributor listing) —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Gate Drive Logic Level Logic-level compatible —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS123NH6327XTSA1
Part Status — Active
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID) — 190 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
RDS(on) Max — 6 Ω @ VGS = 10 V
Gate-Source Voltage Max (VGS) — ±20 V
RoHS Compliance — Yes (Pb-free lead plating)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں