BSS126H6327XTSA2 vs BSS127H6327XTSA2 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSS126H6327XTSA2 بذریعہ Infineon اور BSS127H6327XTSA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 - 600V N-Ch MOSFET, 21mA, SOT-23 | Infineon

BSS127H6327XTSA2 - 600V N-Ch MOSFET, 21mA, SOT-23 | Infineon

BSS127H6327XTSA2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSS126H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel Depletion Mode N-Channel SIPMOS, enhancement mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 mA —
Power Dissipation (PD) at Ta 500 mW —
On-Resistance (RDS(on)) Max 500 ohm (typical for depletion-mode) —
Gate-Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max/min] —
Technology SIPMOS (DMOS) —
پیکیج SOT-23-3 (PG-SOT23) SOT-23-3 (PG-SOT23)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction, typical) —
پن کی تعداد 3 3
Configuration Single —
Channel Mode Depletion (normally-on at VGS = 0) —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (lead-free)
Lead-Free Yes —
ہیلوجن فری Yes (Infineon 'green' package) Yes, per IEC 61249-2-21
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) — 21 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4.5 V (logic level, rated)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 500 ohm at ID = 21 mA
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW (Ta)
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 C to +150 C
dv/dt Rated — Yes
Automotive Qualification — AEC-Q101

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں