BSS126H6327XTSA2 vs BSS127H6327XTSA2 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSS126H6327XTSA2 توسط Infineon و BSS127H6327XTSA2 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 - 600V N-Ch MOSFET, 21mA, SOT-23 | Infineon

BSS127H6327XTSA2 - 600V N-Ch MOSFET, 21mA, SOT-23 | Infineon

BSS127H6327XTSA2 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSS126H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel Depletion Mode N-Channel SIPMOS, enhancement mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 mA —
Power Dissipation (PD) at Ta 500 mW —
On-Resistance (RDS(on)) Max 500 ohm (typical for depletion-mode) —
Gate-Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max/min] —
Technology SIPMOS (DMOS) —
بسته‌بندی SOT-23-3 (PG-SOT23) SOT-23-3 (PG-SOT23)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -55C to +150C (junction, typical) —
تعداد پایه 3 3
Configuration Single —
Channel Mode Depletion (normally-on at VGS = 0) —
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
وضعیت RoHS Compliant Compliant (lead-free)
Lead-Free Yes —
بدون هالوژن Yes (Infineon 'green' package) Yes, per IEC 61249-2-21
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) — 21 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4.5 V (logic level, rated)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 500 ohm at ID = 21 mA
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW (Ta)
دمای اتصال کاری — -55 C to +150 C
dv/dt Rated — Yes
Automotive Qualification — AEC-Q101

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت