BSZ018NE2LSATMA1 vs BSZ036NE2LSATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ018NE2LSATMA1 بذریعہ Infineon اور BSZ036NE2LSATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSZ018NE2LSATMA1 BSZ036NE2LSATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 25V OptiMOS 25V
Technology N-Channel Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 25 V
Continuous Drain Current (TA) 23 A —
Continuous Drain Current (TC) 40 A —
Power Dissipation (TA) 2.1 W —
Power Dissipation (TC) 69 W —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at VGS=10V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C -55C to +150C
پیکیج PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (Unlimited)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
ہیلوجن فری Yes —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 16 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 37 W
Configuration — Single
Gate Drive — Logic-level compatible

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں