BSZ024N04LS6ATMA1 vs BSZ018NE2LSIATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ024N04LS6ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSZ018NE2LSIATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSZ024N04LS6ATMA1 BSZ024N04LS6ATMA1 - 40V 24A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

BSZ024N04LS6ATMA1 - 40V 24A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

BSZ024N04LS6ATMA1 ✓ فعال
Infineon
BSZ018NE2LSIATMA1 BSZ018NE2LSIATMA1 - 25V N-Ch OptiMOS 1.8mOhm MOSFET | Infineon

BSZ018NE2LSIATMA1 - 25V N-Ch OptiMOS 1.8mOhm MOSFET | Infineon

BSZ018NE2LSIATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSZ024N04LS6ATMA1 BSZ018NE2LSIATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 6 (shielded-gate trench) OptiMOS (Infineon trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Ta) 24 A —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 40 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 130 A —
R_DS(on) Max @ V_GS=10V 2.4 mΩ —
R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V [DATA_NEEDED: R_DS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 2.3 V (typical) —
Total Gate Charge (Q_g) @ V_GS=10V 25 nC —
Input Capacitance (C_iss) 1.8 nF —
Output Capacitance (C_oss) 19 pF —
Power Dissipation (P_D, Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (P_D, Tc) 75 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55°C to +175°C —
پیکیج PG-TSDSON-8-FL (3.3 mm x 3.3 mm) PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount, top-side drain pad Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSZ018NE2LSIATMA1
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 22 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 160 A
Typical On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 1.8 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation at Tc=25C — 69 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 C to +150 C
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں