BSZ070N08LS5ATMA1 vs BSC027N06LS5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ070N08LS5ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC027N06LS5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 - 80V 7mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSZ070N08LS5ATMA1 - 80V 7mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSZ070N08LS5ATMA1 ✓ فعال
Infineon
BSC027N06LS5ATMA1 BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSZ070N08LS5ATMA1 BSC027N06LS5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS™ 5 (80 V logic-level) —
Polarity / Channel Type N-Channel enhancement mode —
Drain-Source Voltage (VDS) max 80 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 74 A (Tc, per datasheet) —
Continuous Drain Current (ID) at TA / Si [DATA_NEEDED: TA-rated ID] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed] [DATA_NEEDED: pulsed IDM]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V 7 mΩ —
On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Logic-level (drive compatible with 4.5 V) —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total Qg] —
Power Dissition PD max at TC 69 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +150 °C —
پیکیج PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) Surface Mount —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020, unleaded reflow) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes —
Reel Quantity 5000 per 13-inch reel (T&R) —
Series — OptiMOS™ 5
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic-level
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V — 2.7 mOhm
On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 83 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55°C to +150°C
پیکیج / کیس — PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6)
پن کی تعداد — 8
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total Qg]
Avalanche Energy Rated — Yes
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں