BSZ110N08NS5ATMA1 vs BSZ150N10LS3GATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ110N08NS5ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSZ150N10LS3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 ✓ فعال
Infineon
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 - 100V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSZ150N10LS3GATMA1 - 100V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSZ150N10LS3GATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 5 —
Technology OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 40 A —
On-Resistance RDS(on) max 11 mΩ 15 mΩ
Power Dissipation (PD) at Tc 50 W —
پیکیج PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Polarity N-Channel —
Configuration Single MOSFET —
Gate Drive Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS rating] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level]
Part Number — BSZ150N10LS3GATMA1
Technology / Family — OptiMOS 3
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 °C) — 40 A
Power Dissipation (TA=25 °C) — 2.1 W
پاور ڈسپیشن (TC=25°C) — 63 W
Operating Temperature Range (TJ) — -55 °C to +150 °C
Gate Threshold VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Lead-Free / Reflow — Yes (lead-free, 260 °C peak reflow compatible)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں