EP4CE15F23C8N vs EP4CE15U14A7N موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از EP4CE15F23C8N بذریعہ Intel اور EP4CE15U14A7N بذریعہ Intel. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر EP4CE15F23C8N EP4CE15U14A7N
برانڈ Intel Intel
زمرہ FPGA & CPLD FPGA & CPLD
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Series Cyclone IV E —
Logic Elements 15,408 —
Embedded Memory Bits 516,096 bits (63 KBytes) —
Embedded Multipliers (18x18) 343 —
General-purpose PLLs 4 —
Maximum User I/O Pins 343 —
پیکیج 484-BGA (FineLine BGA, F23, 23x23 mm, 1.0 mm pitch) 256-ball UBGA (Ultra-FineLine BGA)
Process Technology 60 nm low-leakage CMOS —
Core Voltage (VCCINT) 1.0 V to 1.2 V —
I/O Bank Voltage (VCCIO) 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت 0C to 85C (Commercial) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Speed Grade C8 (commercial, 8 ns internal timing) 7
Configuration Modes AS / PS / JTAG / FPP JTAG, AS, AP, PS
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount (BGA) —
MSL لیول MSL3 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (per distributor listings)
Hard IP Blocks PCIe Gen1 root port, external memory interface —
Embedded Memory Type M9K (9 Kbit each) —
Family — Cyclone IV E
Logic Elements (LE) — 15,408
Total Memory Bits — 516,096 bits
Embedded 18x18 Multipliers — 56
General-Purpose PLLs — 4
Maximum User I/Os — 165
Core Voltage — 1.2 V
Process Node — 60 nm low-power
Bitstream Encryption — AES-128 (security-enhanced variant)
External Memory Support — DDR/DDR2 SDRAM, QDRII SRAM, RLDRAM II

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں