H5AN8G6NDJR-XNC vs MT40A1G8SA-075:E موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5AN8G6NDJR-XNC بذریعہ SK hynix اور MT40A1G8SA-075:E بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

SK hynix
H5AN8G6NDJR-XNC H5AN8G6NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 x16 DRAM | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 x16 DRAM | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-XNC ✓ فعال
Micron Technology
MT40A1G8SA-075:E MT40A1G8SA-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 1.33GHz | Micron

MT40A1G8SA-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 1.33GHz | Micron

MT40A1G8SA-075:E ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر H5AN8G6NDJR-XNC MT40A1G8SA-075:E
برانڈ SK hynix Micron Technology
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) $55.68 —
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM SDRAM - DDR4
میموری سائز 8 Gb 8Gbit (1G x 8)
Memory Organization 512M x16 —
ڈیٹا ریٹ 3200 Mbps 2666 MT/s
Supply Voltage (VDD) 1.2 V (max 1.26 V) —
پیکیج FBGA-96 (13x7.5 mm) 78-FBGA (7.5x11 mm)
Number of Terminals 96 —
Maximum Operating Temperature 85 °C —
Input/Output Type COMMON —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
ہیلوجن فری Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Data Mask Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes Supported
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes Supported
Write Leveling Yes Supported
Asynchronous Reset Yes —
انٹرفیس — Parallel
Clock Frequency — 1.33 GHz
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Supply Voltage — 2.5V (-125mV, +250mV)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — 0°C to +95°C
Refresh Time — 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C
ماؤنٹنگ ٹائپ — Surface Mount
Data Mask Function — Supported
RoHS اسٹیٹس — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں