H5AN8G6NDJR-XNC vs MT40A1G8SA-075:E مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G6NDJR-XNC توسط SK hynix و MT40A1G8SA-075:E توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بستهبندی، وضعیت چرخه عمر، قیمتگذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN8G6NDJR-XNC | MT40A1G8SA-075:E |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | Micron Technology |
| دستهبندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | $55.68 | — |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | SDRAM - DDR4 |
| اندازه حافظه | 8 Gb | 8Gbit (1G x 8) |
| Memory Organization | 512M x16 | — |
| نرخ داده | 3200 Mbps | 2666 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (max 1.26 V) | — |
| بستهبندی | FBGA-96 (13x7.5 mm) | 78-FBGA (7.5x11 mm) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Input/Output Type | COMMON | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | Supported |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | Supported |
| Write Leveling | Yes | Supported |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| رابط | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| محدوده دمای کاری | — | 0°C to +95°C |
| Refresh Time | — | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| نوع نصب | — | Surface Mount |
| Data Mask Function | — | Supported |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |