H5AN8G6NDJR-XNC vs MT40A1G8SA-075:E مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G6NDJR-XNC توسط SK hynix و MT40A1G8SA-075:E توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

SK hynix
H5AN8G6NDJR-XNC H5AN8G6NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 x16 DRAM | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 x16 DRAM | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-XNC ✓ فعال
Micron Technology
MT40A1G8SA-075:E MT40A1G8SA-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 1.33GHz | Micron

MT40A1G8SA-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 1.33GHz | Micron

MT40A1G8SA-075:E ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر H5AN8G6NDJR-XNC MT40A1G8SA-075:E
برند SK hynix Micron Technology
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
قیمت واحد (USD) $55.68 —
نوع حافظه DDR4 SDRAM SDRAM - DDR4
اندازه حافظه 8 Gb 8Gbit (1G x 8)
Memory Organization 512M x16 —
نرخ داده 3200 Mbps 2666 MT/s
Supply Voltage (VDD) 1.2 V (max 1.26 V) —
بسته‌بندی FBGA-96 (13x7.5 mm) 78-FBGA (7.5x11 mm)
Number of Terminals 96 —
Maximum Operating Temperature 85 °C —
Input/Output Type COMMON —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
بدون هالوژن Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Data Mask Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes Supported
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes Supported
Write Leveling Yes Supported
Asynchronous Reset Yes —
رابط — Parallel
Clock Frequency — 1.33 GHz
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Supply Voltage — 2.5V (-125mV, +250mV)
محدوده دمای کاری — 0°C to +95°C
Refresh Time — 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C
نوع نصب — Surface Mount
Data Mask Function — Supported
وضعیت RoHS — Compliant

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت