H5AN8G6NDJR vs K4A8G165WB-BCTD موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5AN8G6NDJR بذریعہ SK hynix اور K4A8G165WB-BCTD بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | H5AN8G6NDJR | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| برانڈ | SK hynix | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | DRAM |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| تنظیم | 512M x 16 | 512M x 16 |
| ڈیٹا ریٹ | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 2666 Mbps |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | — |
| پیکیج | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) | 96FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | 1.26 V | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| CAS لیٹنسی | 22 cycles (at 3200 Mbps) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Access Mode | Multi Bank Page Burst | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | — |
| RoHS | Compliant | — |
| خصوصیات | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | 0C to +85C |
| Die Generation | — | B-die |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | — | Surface Mount (BGA) |
| انٹرفیس | — | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Data Mask | — | Supported (DM per x16 lane) |
| ZQ Calibration | — | Supported |
| Dynamic On-Die Termination | — | Supported |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) |
| Moisture Sensitivity Level | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |