H5AN8G6NDJR vs K4A8G165WB-BCTD مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G6NDJR بواسطة SK hynix و K4A8G165WB-BCTD بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN8G6NDJR | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | DRAM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| التنظيم | 512M x 16 | 512M x 16 |
| معدل البيانات | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 2666 Mbps |
| جهد التغذية | 1.2 V | — |
| العلبة | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) | 96FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | 1.26 V | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| زمن الوصول CAS | 22 cycles (at 3200 Mbps) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Access Mode | Multi Bank Page Burst | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | — |
| RoHS | Compliant | — |
| الميزات | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| درجة حرارة التشغيل | — | 0C to +85C |
| Die Generation | — | B-die |
| نوع التركيب | — | Surface Mount (BGA) |
| الواجهة | — | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Data Mask | — | Supported (DM per x16 lane) |
| ZQ Calibration | — | Supported |
| Dynamic On-Die Termination | — | Supported |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] |
| حالة RoHS | — | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) |
| Moisture Sensitivity Level | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |