H5AN8G8NDJR vs MT40A1G8SA-062E موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5AN8G8NDJR بذریعہ SK hynix اور MT40A1G8SA-062E بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | H5AN8G8NDJR | MT40A1G8SA-062E |
|---|---|---|
| برانڈ | SK hynix | Micron Technology |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| تنظیم | 1G x 8 | 1G x 8 |
| ڈیٹا ریٹ | 3200 MT/s | 3200 MT/s (DDR4-3200) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| VDDQ | 1.2 V | — |
| VPP | 2.5 V | 2.5 V, -125 mV, +250 mV |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0°C to +95°C (Tc) | 0C to +95C (CT range; IT: -40C to +95C) |
| پیکیج | FBGA-78 (7.5x11 mm) | 78-ball FBGA (7.5 x 11 mm) |
| CAS لیٹنسی | 22 (typical) | — |
| tRCD | 22 ns | — |
| tRP | 22 ns | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | BL8, BC4 (burst chop) |
| Self-Refresh Current | 30 mA (typical) | — |
| Active Standby Current | 60 mA (typical) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Access Time (CAS Latency) | — | CL22 at 3200 MT/s |
| Row Access Time | — | 19 ns |
| VDD / VDDQ | — | 1.2 V +/-60 mV |
| Internal Banks | — | 16 banks (4 bank groups x 4 banks) |
| Refresh | — | 8192-cycle; 64 ms (0-85C), 32 ms (85-95C), 16 ms (>95C) |
| I/O Type | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | — | Surface Mount |
| خصوصیات | — | Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, auto precharge, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ |