H5AN8G8NDJR vs MT40A1G8SA-062E השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5AN8G8NDJR מאת SK hynix ו MT40A1G8SA-062E מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | H5AN8G8NDJR | MT40A1G8SA-062E |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | Micron Technology |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| ארגון | 1G x 8 | 1G x 8 |
| קצב נתונים | 3200 MT/s | 3200 MT/s (DDR4-3200) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| VDDQ | 1.2 V | — |
| VPP | 2.5 V | 2.5 V, -125 mV, +250 mV |
| טמפרטורת פעולה | 0°C to +95°C (Tc) | 0C to +95C (CT range; IT: -40C to +95C) |
| מארז | FBGA-78 (7.5x11 mm) | 78-ball FBGA (7.5 x 11 mm) |
| השהיית CAS | 22 (typical) | — |
| tRCD | 22 ns | — |
| tRP | 22 ns | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | BL8, BC4 (burst chop) |
| Self-Refresh Current | 30 mA (typical) | — |
| Active Standby Current | 60 mA (typical) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Access Time (CAS Latency) | — | CL22 at 3200 MT/s |
| Row Access Time | — | 19 ns |
| VDD / VDDQ | — | 1.2 V +/-60 mV |
| Internal Banks | — | 16 banks (4 bank groups x 4 banks) |
| Refresh | — | 8192-cycle; 64 ms (0-85C), 32 ms (85-95C), 16 ms (>95C) |
| I/O Type | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| סוג הרכבה | — | Surface Mount |
| תכונות | — | Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, auto precharge, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ |