H5ANAG4NBJR-UHC vs H5ANAG4NBJR-RDC موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5ANAG4NBJR-UHC بذریعہ SK hynix اور H5ANAG4NBJR-RDC بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

SK hynix
H5ANAG4NBJR-UHC H5ANAG4NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz FBGA-96 | SK hynix

H5ANAG4NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz FBGA-96 | SK hynix

H5ANAG4NBJR-UHC ✓ فعال
SK hynix
H5ANAG4NBJR-RDC H5ANAG4NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 4Gx4 1.2V | SK hynix

H5ANAG4NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 4Gx4 1.2V | SK hynix

H5ANAG4NBJR-RDC ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر H5ANAG4NBJR-UHC H5ANAG4NBJR-RDC
برانڈ SK hynix SK hynix
زمرہ DRAM Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 16 Gb (2 GB)
تنظیم 256M x16 4G x 4
Supply Voltage (VDD) 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) —
Clock / Data Rate 1.6 GHz —
پیکیج FBGA-96 (PBGA96) 78-ball FBGA
آپریٹنگ درجہ حرارت -40C to +95C —
انٹرفیس CMOS, DDR4 (double data rate) SSTL-12
Data Mask (DM) Yes —
Asynchronous Reset Yes —
On-Die Termination (ODT) Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount (BGA) Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (lead-free / halogen-free per RDC suffix)
CAS لیٹنسی [DATA_NEEDED: CAS Latency / speed bin detail] —
Supply Voltage VDD — 1.2 V
ڈیٹا ریٹ — 2666 MT/s (speed bin NBJR, [DATA_NEEDED: exact MT/s confirmation from datasheet])
Prefetch — 16n (bank group architecture)
خصوصیات — Bank groups, CA parity, data CRC, ODT, DLL-off mode
Refresh — Self refresh, 8n refresh [DATA_NEEDED: 1x/2x/4x refresh option]
Operating Temperature (case) — -40C to +85C (industrial; extended to 95C per datasheet conditions)
Temperature Grade Suffix — RDC - industrial temperature, lead-free, halogen-free
VDDQ — 1.2 V
Product Family — SK hynix computing 16Gb DDR4 H5ANAG4(8_6)NBJR series

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں