H5ANAG8NBJR-VKC vs MT40A2G8AG-062E موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5ANAG8NBJR-VKC بذریعہ SK hynix اور MT40A2G8AG-062E بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

SK hynix
H5ANAG8NBJR-VKC H5ANAG8NBJR-VKC - 16Gb DDR4-2666 SDRAM x8 FBGA-78 | SK Hynix

H5ANAG8NBJR-VKC - 16Gb DDR4-2666 SDRAM x8 FBGA-78 | SK Hynix

H5ANAG8NBJR-VKC ✓ فعال
Micron Technology
MT40A2G8AG-062E MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر H5ANAG8NBJR-VKC MT40A2G8AG-062E
برانڈ SK hynix Micron Technology
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit 16 Gbit
تنظیم 2G x 8 2G x 8
Speed Grade DDR4-2666 (2666 Mbps/pin) —
سپلائی وولٹیج 1.14 V to 1.26 V (VDDQ) —
Clock Frequency 1.6 GHz (internal interface per distributor data) 1600 MHz
آپریٹنگ درجہ حرارت 0C to +85C —
پیکیج FBGA-78 78-FBGA (7.5 x 11 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Standby Current 30 mA (operating, per distributor listing) —
Auto Self-Refresh Yes —
Data Mask Function Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
Asynchronous Reset Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Auto Precharge Yes —
RoHS اسٹیٹس Compliant, Lead-Free and Halogen-Free Compliant
Refresh Interval [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval] —
Speed — DDR4-3200 (3200 MT/s)
Access Time (Clock Cycle Time) — 0.625 ns (tCK)
CAS لیٹنسی — CL22 (DDR4-3200)
Access Time — 19 ns
Supply Voltage VDD — 1.2 V
I/O Interface — POD12 (1.2 V pseudo-open drain)
VPP Voltage — 2.5 V
Number of Banks — 16 (4 bank groups x 4 banks)
Operating Temperature (AUT grade) — -40C to +95C (per Micron grade table)
Die Revision — AG (current generation)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں