H5ANAG8NBJR-VKC vs MT40A2G8AG-062E So sánh
So sánh chi tiết song song của H5ANAG8NBJR-VKC bằng SK hynix và MT40A2G8AG-062E bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Micron Technology
MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron
MT40A2G8AG-062E ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | H5ANAG8NBJR-VKC | MT40A2G8AG-062E |
|---|---|---|
| Thương hiệu | SK hynix | Micron Technology |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gbit |
| Tổ chức | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Speed Grade | DDR4-2666 (2666 Mbps/pin) | — |
| Điện áp cung cấp | 1.14 V to 1.26 V (VDDQ) | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz (internal interface per distributor data) | 1600 MHz |
| Nhiệt độ hoạt động | 0C to +85C | — |
| Hộp | FBGA-78 | 78-FBGA (7.5 x 11 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Standby Current | 30 mA (operating, per distributor listing) | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant, Lead-Free and Halogen-Free | Compliant |
| Refresh Interval | [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval] | — |
| Speed | — | DDR4-3200 (3200 MT/s) |
| Access Time (Clock Cycle Time) | — | 0.625 ns (tCK) |
| Latency CAS | — | CL22 (DDR4-3200) |
| Access Time | — | 19 ns |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| I/O Interface | — | POD12 (1.2 V pseudo-open drain) |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| Number of Banks | — | 16 (4 bank groups x 4 banks) |
| Operating Temperature (AUT grade) | — | -40C to +95C (per Micron grade table) |
| Die Revision | — | AG (current generation) |