IAUCN04S7N024HATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN04S7N024HATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUCN04S7N019GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUCN04S7N024HATMA1 IAUCN04S7N024HATMA1 - 40V Dual N-Ch OptiMOS-7 2.46mΩ | Infineon

IAUCN04S7N024HATMA1 - 40V Dual N-Ch OptiMOS-7 2.46mΩ | Infineon

IAUCN04S7N024HATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUCN04S7N024HATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS-7 40 V —
Configuration Dual N-Channel (independent) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 100 A —
On-Resistance R_DS(on) typ 2.46 mΩ at V_GS = 10 V —
On-Resistance R_DS(on) max [DATA_NEEDED: max R_DS(on) at 10 V V_GS] —
Maximum Power Dissipation (Tc) 75 W 81 W
پیکیج PG-TDSON-8-56 (SSO8 HB 5x6 mm) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 (per family datasheet)
Technology OptiMOS-7 trench-gate —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) [DATA_NEEDED: typical V_GS(th)] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total Qg] —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Packing Tape & Reel —
Product Family — OptiMOS 7
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
Lead-Free — Yes
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں