IAUCN10S7N021ATMA1 vs IAUC100N04S6L025ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN10S7N021ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUC100N04S6L025ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUC100N04S6L025ATMA1 IAUC100N04S6L025ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L025ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L025ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUCN10S7N021ATMA1 IAUC100N04S6L025ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS™ 7 (trench MOSFET) OptiMOS 6 40V trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 175 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] [DATA_NEEDED: IDM pulse rating]
RDS(on) max @ VGS=10 V 2.1 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ 3.2 V —
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V 105 nC —
Input Capacitance (Ciss) 2.98 nF —
Output Capacitance (Coss) 32 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 7.153 nF —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 217 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +175 °C -55 C to +175 C
پیکیج PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.5 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 62 W
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
MSL لیول — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں