IAUCN10S7N074ATMA1 vs IAUCN04S7N027GATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN10S7N074ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUCN04S7N027GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUCN04S7N027GATMA1 IAUCN04S7N027GATMA1 - 40V 117A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET SSO4G 5x6

IAUCN04S7N027GATMA1 - 40V 117A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET SSO4G 5x6

IAUCN04S7N027GATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUCN10S7N074ATMA1 IAUCN04S7N027GATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS™ 7 (Shielded-Gate Trench) —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 100 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 78 A (Tj) —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 96 W (Tc) —
R<sub>DS(on)</sub> (typ at V<sub>GS</sub>=10 V) 7.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) ±20 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
پیکیج PG-TDSON-8-34 (TDSON EP, 5x6 mm) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 8 (with exposed pad) —
MSL لیول MSL2 (1 year) [DATA_NEEDED: MSL]
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Application 48 V Automotive Systems —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 7
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds max) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) — 117 A
On-Resistance (Rds(on) max) — 2.67 mOhm
Power Dissipation (Pd) — 70 W (Tc)
پیکیج / کیس — PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6)
Qualification — Automotive
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Gate-Source Voltage Max (Vgs) — [DATA_NEEDED: Vgs max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy FR-4

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں