IAUZN04S7L025ATMA1 vs IAUCN04S7L042GATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUZN04S7L025ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUCN04S7L042GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IAUCN04S7L042GATMA1 - 40V 77A OptiMOS 7 N-MOSFET, PG-THSOG-4 | Infineon
IAUCN04S7L042GATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IAUZN04S7L025ATMA1 | IAUCN04S7L042GATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-7 | OptiMOS 7 40V |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | Trench N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 117 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 60 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM value] | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 2.56 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 65 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55C to +175C | — |
| پیکیج | PG-TSDSON-8-44 (S3O8) | PG-THSOG-4 (SSO4G 5x6) leaded surface mount |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount (IMS substrate / FR4 with thermal vias) |
| AEC-Q100 Qualification | Qualified (automotive grade) | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Typical Applications | Synchronous rectification, hot-swap, OR-ing, motor drive | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | — | 77 A |
| Maximum Power Dissipation (PD, Tc) | — | 50 W |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55C to +175C (Tj) |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel enhancement mode |
| Automotive Qualified | — | Yes (Automotive grade, AEC-Q101 expected for Infineon OptiMOS 7 automotive parts) |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| Packing | — | Tape & Reel (per -ATMA1 suffix) |
| Target Substrate | — | IMS substrate and legacy FR4 designs |
| On-State Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] |