IGD08N120S7ATMA1 vs IPTC017N12NM6ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IGD08N120S7ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPTC017N12NM6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IGD08N120S7ATMA1 | IPTC017N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | IGBTs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | IGBT 7 (S7) Trench Field Stop | — |
| Collector-Emitter Voltage (Vce max) | 1200 V | — |
| Continuous Collector Current (Ic, Tc=25C) | 24 A | — |
| Pulsed Collector Current (Icm) | [DATA_NEEDED: pulsed collector current] | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 106 W | — |
| Gate-Emitter Voltage (Vge max) | [DATA_NEEDED: Vge max] | — |
| VCE(sat) at rated Ic | 1.65 V | — |
| Co-packaged Diode | Yes (anti-parallel emitter diode) | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -40C to +175C (industry grade) | — |
| پیکیج | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-HDSOP-16 (Surface Mount) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench Field Stop, 7th generation | OptiMOS 6, N-channel trench MOSFET |
| Configuration | Single | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 32 A |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 331 A |
| On-State Resistance RDS(on) max | — | 1.7 mΩ at VGS = 10 V |
| Gate-Source Threshold VGS(th) | — | 2.4 V (typ) |
| Total Gate Charge QG | — | 141 nC at VGS = 10 V |
| Input Capacitance Ciss | — | 2.4 nF at VDS = 60 V |
| Output Capacitance Coss | — | 11000 pF at VDS = 60 V |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3.8 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 395 W |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | -55 °C to +175 °C (TJ max) |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V |