IGLR70R200D2SXUMA1 vs IGK120B041SXTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IGLR70R200D2SXUMA1 بذریعہ Infineon اور IGK120B041SXTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 ✓ فعال
Infineon
IGK120B041SXTSA1 IGK120B041SXTSA1 - 40V GaN Bidirectional Switch | Infineon

IGK120B041SXTSA1 - 40V GaN Bidirectional Switch | Infineon

IGK120B041SXTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IGLR70R200D2SXUMA1 IGK120B041SXTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN G5 CoolGaN Bidirectional Switch (BDS)
Channel Type N-Channel —
Technology GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) Gallium Nitride (GaN) on Silicon
Drain-Source Voltage (VDS) 700 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 9.3 A 30 A
Power Dissipation (PD, Tc) 34 W —
On-Resistance (RDS(on), max) 200 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 1.26 nC 4.4 nC
Output Capacitance (Coss) 91 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 0.21 pF —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 1.2 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -40 °C to +150 °C [DATA_NEEDED: junction temperature range]
پیکیج PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) SG-UFWLB-16-2 (WLCSP 1.2 x 1.7 mm)
RoHS Compliant —
Generation — G3 (medium-voltage)
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel, Monolithic Bidirectional
Drain-Source Voltage (VDS, max) — 40 V (symmetric, both polarities)
Power Dissipation (Tc) — 15 W
Power Dissipation (Ta) — 1.2 W
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) in mOhm]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) in V]
Operating Mode — Normally-off
ماؤنٹنگ ٹائپ — Surface Mount
RoHS اسٹیٹس — Compliant (Pb-free)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں