IPB020N08N5ATMA1 vs BSC009NE2LS5IATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB020N08N5ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC009NE2LS5IATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
BSC009NE2LS5IATMA1 - 25V 0.95mΩ 217A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
BSC009NE2LS5IATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPB020N08N5ATMA1 | BSC009NE2LS5IATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) | OptiMOS™ 5 (25V/30V family) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 120 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 480 A | — |
| Maximum RDS(on) at VGS=10V | 2.0 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 300 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55C to +175C | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | [DATA_NEEDED: RthJC value, approx 0.5 C/W] | — |
| پیکیج | PG-TO263-3 (D2PAK-2) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Avalanche Energy Rated (EAS) | [DATA_NEEDED: EAS value] | — |
| Configuration | Single N-channel, 3-pin (2+Tab) | Single with built-in diode |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Manufacturer Part Number | — | BSC009NE2LS5IATMA1 |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) max | — | 25 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | 20 V |
| Gate-Threshold Voltage V_GS(th) typ | — | 1.7 V (range 1.0-2.0 V) |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 0.95 mΩ |
| Continuous Drain Current (I_D) @ T_A=25°C | — | 40 A |
| Continuous Drain Current (I_D) @ T_C=25°C | — | 217 A (pulsed, datasheet rating) |
| Power Dissipation (P_D) @ T_A | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (P_D) @ T_C | — | 74 W |
| Total Gate Charge (Q_G) typ | — | 23 nC @ V_GS=0-4.5V |
| Input Capacitance (C_iss) typ | — | 3200 pF |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55°C to +150°C |
| Terminal Finish | — | Matte Tin (e3 per JESD-609) |
| Number of Terminals | — | 8 |