IPB024N10N5ATMA1 vs IRF7469TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB024N10N5ATMA1 بذریعہ Infineon اور IRF7469TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPB024N10N5ATMA1 IRF7469TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Technology OptiMOS 5 N-Channel MOSFET (trench, shielded gate) IR MOSFET™ (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 180 A —
Power Dissipation (PD, TC=25C) 250 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.4 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] 15 nC
Input Capacitance Ciss [DATA_NEEDED: Ciss value] —
Output Capacitance Coss [DATA_NEEDED: Coss value] —
Reverse Recovery Charge Qrr [DATA_NEEDED: Qrr value] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C (junction) -55°C to +150°C (Tj)
پیکیج PG-TO263-7 (D2PAK-7) 8-SO (SOIC-8)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH) 1 (unlimited)
Packaging Tape & Reel (13-inch reel) —
ہیلوجن فری Yes (per Infineon product family policy) Yes
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) at TA=25°C — 9 A
Rds(on) Max at Vgs=10V — 17 mΩ
Gate-Source Voltage (Vgs) Max — ±20 V
Power Dissipation (Pd) at TA=25°C — 2.5 W
Lead-Free — Yes
Channel Mode — Enhancement
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Recovery Charge (Qrr) — [DATA_NEEDED: Qrr]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں