IPB024N10N5ATMA1 vs IRF7469TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPB024N10N5ATMA1 توسط Infineon و IRF7469TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IPB024N10N5ATMA1 IRF7469TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Technology OptiMOS 5 N-Channel MOSFET (trench, shielded gate) IR MOSFET™ (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 180 A —
Power Dissipation (PD, TC=25C) 250 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.4 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] 15 nC
Input Capacitance Ciss [DATA_NEEDED: Ciss value] —
Output Capacitance Coss [DATA_NEEDED: Coss value] —
Reverse Recovery Charge Qrr [DATA_NEEDED: Qrr value] —
محدوده دمای کاری -55C to +175C (junction) -55°C to +150°C (Tj)
بسته‌بندی PG-TO263-7 (D2PAK-7) 8-SO (SOIC-8)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH) 1 (unlimited)
Packaging Tape & Reel (13-inch reel) —
بدون هالوژن Yes (per Infineon product family policy) Yes
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) at TA=25°C — 9 A
Rds(on) Max at Vgs=10V — 17 mΩ
Gate-Source Voltage (Vgs) Max — ±20 V
Power Dissipation (Pd) at TA=25°C — 2.5 W
Lead-Free — Yes
Channel Mode — Enhancement
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Recovery Charge (Qrr) — [DATA_NEEDED: Qrr]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت