IPB107N20N3GATMA1 vs BSC077N12NS3GATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB107N20N3GATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC077N12NS3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPB107N20N3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 120 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 88 A 98 A
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc 300 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 9.6 milliohm (typical, per third-party listing) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] —
پیکیج PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 3 (Drain, Source, Gate) + Tab 8
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Technology OptiMOS 3 trench MOSFET —
Part Family — OptiMOS 3 (120 V)
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 13.4 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 7.7 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation (PD) at Tc — 139 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +150C
MSL لیول — 1
Automotive Grade — Yes (per Infineon part number suffix / datasheet)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں