IPB107N20N3GATMA1 vs BSC077N12NS3GATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB107N20N3GATMA1 מאת Infineon ו BSC077N12NS3GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPB107N20N3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 120 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 88 A 98 A
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc 300 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 9.6 milliohm (typical, per third-party listing) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] —
טווח טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] —
מארז PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מספר פינים 3 (Drain, Source, Gate) + Tab 8
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Technology OptiMOS 3 trench MOSFET —
Part Family — OptiMOS 3 (120 V)
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 13.4 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 7.7 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation (PD) at Tc — 139 W
טמפרטורת צומת פעולה — -55C to +150C
רמת MSL — 1
Automotive Grade — Yes (per Infineon part number suffix / datasheet)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר