IPB110P06LMATMA1 vs IRF1018EPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB110P06LMATMA1 بذریعہ Infineon اور IRF1018EPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPB110P06LMATMA1 | IRF1018EPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | P-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS (trench MOSFET) | HEXFET (Power MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -100 A | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | 300 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | 11 mOhm @ ID=100A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) | 2 V @ ID=5.55 mA | — |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | +/-20 V | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +175 C (TJ) | -55 C to +175 C (Tj) |
| پیکیج / کیس | PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Through Hole |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 | — |
| Gate Drive Level | Logic-level compatible | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 79 A |
| Rds(on) max at Vgs=10V | — | 8.4 mOhm |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 46 nC |
| Gate Drive Voltage (Vgs) | — | 10 V (optimized; +/-20 V max) |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 110 W |
| پیکیج | — | TO-220AB (through-hole, 3-lead) |
| Qualification | — | JEDEC (Industrial market) |
| Lead-Free (PBF suffix) | — | Yes |
| پن کی تعداد | — | 3 (Gate, Drain, Source) |