IPB110P06LMATMA1 vs IRF1018EPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IPB110P06LMATMA1 bằng Infineon và IRF1018EPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPB110P06LMATMA1 | IRF1018EPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Giá đơn vị (USD) | — | $0,38 |
| FET Type | P-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS (trench MOSFET) | HEXFET (Power MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -100 A | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | 300 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | 11 mOhm @ ID=100A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) | 2 V @ ID=5.55 mA | — |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | +/-20 V | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 C to +175 C (TJ) | -55 C to +175 C (Tj) |
| Hộp / Vỏ | PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Through Hole |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 | — |
| Gate Drive Level | Logic-level compatible | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 79 A |
| Rds(on) max at Vgs=10V | — | 8.4 mOhm |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 46 nC |
| Gate Drive Voltage (Vgs) | — | 10 V (optimized; +/-20 V max) |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 110 W |
| Hộp | — | TO-220AB (through-hole, 3-lead) |
| Qualification | — | JEDEC (Industrial market) |
| Lead-Free (PBF suffix) | — | Yes |
| Số chân | — | 3 (Gate, Drain, Source) |