IPB70N10S3L12ATMA1 vs IPB70N10S3L12ATMA2 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB70N10S3L12ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPB70N10S3L12ATMA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPB70N10S3L12ATMA2 IPB70N10S3L12ATMA2 - 100V 70A N-Ch MOSFET, 11.8mΩ | Infineon

IPB70N10S3L12ATMA2 - 100V 70A N-Ch MOSFET, 11.8mΩ | Infineon

IPB70N10S3L12ATMA2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPB70N10S3L12ATMA1 IPB70N10S3L12ATMA2
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS (IPB70N10) —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 70 A —
Peak Drain Current (IDM) 180 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 11.8 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 125 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +175 °C —
پیکیج / کیس PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified AEC-Q101
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (up to 260 °C peak reflow) —
RoHS / Green RoHS Compliant, Green Product —
Avalanche Tested 100 % Avalanche Tested 100% tested
ہیلوجن فری Yes —
FET Type — N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 100 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=25°C — 70 A
R<sub>DS(on)</sub> (Max) @ V<sub>GS</sub>=10V — 11.8 mΩ
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=25°C — 125 W
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — [DATA_NEEDED: V<sub>GS(th)</sub> typical/min/max]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55°C to +175°C
پیکیج — PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Peak Reflow Temperature — 260°C (JEDEC J-STD-020)
RoHS / Green Compliance — Compliant (Green product)
Technology — OptiMOS-T trench
Polarity — N-Channel Enhancement Mode

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں