IPB70N10S3L12ATMA1 vs IPB70N10S3L12ATMA2 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPB70N10S3L12ATMA1 توسط Infineon و IPB70N10S3L12ATMA2 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPB70N10S3L12ATMA2 IPB70N10S3L12ATMA2 - 100V 70A N-Ch MOSFET, 11.8mΩ | Infineon

IPB70N10S3L12ATMA2 - 100V 70A N-Ch MOSFET, 11.8mΩ | Infineon

IPB70N10S3L12ATMA2 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IPB70N10S3L12ATMA1 IPB70N10S3L12ATMA2
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS (IPB70N10) —
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 70 A —
Peak Drain Current (IDM) 180 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 11.8 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 125 W —
دمای اتصال کاری -55 °C to +175 °C —
بسته‌بندی / کیس PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified AEC-Q101
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (up to 260 °C peak reflow) —
RoHS / Green RoHS Compliant, Green Product —
Avalanche Tested 100 % Avalanche Tested 100% tested
بدون هالوژن Yes —
FET Type — N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 100 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=25°C — 70 A
R<sub>DS(on)</sub> (Max) @ V<sub>GS</sub>=10V — 11.8 mΩ
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=25°C — 125 W
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — [DATA_NEEDED: V<sub>GS(th)</sub> typical/min/max]
محدوده دمای کاری — -55°C to +175°C
بسته‌بندی — PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Peak Reflow Temperature — 260°C (JEDEC J-STD-020)
RoHS / Green Compliance — Compliant (Green product)
Technology — OptiMOS-T trench
Polarity — N-Channel Enhancement Mode

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت