IPC100N04S52R8ATMA1 vs IPC100N04S51R7ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPC100N04S52R8ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPC100N04S51R7ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPC100N04S52R8ATMA1 | IPC100N04S51R7ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=100C) | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| On-State Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | 2.8 mOhm | — |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) max] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 75 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55C to +175C | -55 °C to +175 °C |
| پیکیج | PG-TDSON-8-34 (TDSON-8 EP) | PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | 1 (260C peak reflow) | MSL1 (260 °C peak reflow) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Avalanche Tested | 100% (per Infineon standard) | 100% tested |
| RoHS / Green Product | Yes (RoHS compliant) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS-5 |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET, Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage VDS | — | 40 V |
| Continuous Drain Current ID | — | 100 A (at TC) |
| Pulsed Drain Current IDM | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage VGS | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| On-Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation PD | — | 115 W (at TC) |
| Thermal Resistance RthJC | — | 1.3 K/W |
| AEC-Q101 Qualified | — | Yes |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant (Green Product) |
| Built-in Body Diode | — | Yes |