IPC100N04S52R8ATMA1 vs IPC100N04S51R7ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPC100N04S52R8ATMA1 توسط Infineon و IPC100N04S51R7ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPC100N04S52R8ATMA1 IPC100N04S52R8ATMA1 - 40V 100A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPC100N04S52R8ATMA1 - 40V 100A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPC100N04S52R8ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IPC100N04S51R7ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-FET | Infineon

IPC100N04S51R7ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-FET | Infineon

IPC100N04S51R7ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IPC100N04S52R8ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc=100C) [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
On-State Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 2.8 mOhm —
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max] —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 75 W —
دمای اتصال کاری -55C to +175C -55 °C to +175 °C
بسته‌بندی PG-TDSON-8-34 (TDSON-8 EP) PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL 1 (260C peak reflow) MSL1 (260 °C peak reflow)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Avalanche Tested 100% (per Infineon standard) 100% tested
RoHS / Green Product Yes (RoHS compliant) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS-5
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage VDS — 40 V
Continuous Drain Current ID — 100 A (at TC)
Pulsed Drain Current IDM — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage VGS — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation PD — 115 W (at TC)
Thermal Resistance RthJC — 1.3 K/W
AEC-Q101 Qualified — Yes
وضعیت RoHS — Compliant (Green Product)
Built-in Body Diode — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت