IPD031N06L3GATMA1 vs IAUZ30N06S5L140ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD031N06L3GATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUZ30N06S5L140ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IPD031N06L3GATMA1 - 60V 100A 3.1mΩ N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
IPD031N06L3GATMA1 ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD031N06L3GATMA1 | IAUZ30N06S5L140ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 400 A | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 167 W | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 3.1 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.2 V | 2.2 V (typ) |
| Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) | 4.5 V, 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) Typ | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55°C to +175°C | — |
| پیکیج | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TSDSON-8-32 (S3O8, 3x3 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| MSL لیول | 1 (Unlimited) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 30 A (Tj) |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 33 W |
| RDS(on) Max @ VGS=10 V | — | 14 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 12.2 nC @ VGS=10 V |
| Output Capacitance (Coss) | — | 888 pF @ VDS=30 V |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55°C to +175°C |
| Technology Family | — | OptiMOS 5 |
| Automotive Grade | — | AEC-Q101 qualified |
| Gate-Source Voltage Max | — | ±20 V |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (RoHS compliant) |