IPD031N06L3GATMA1 vs IAUZ30N06S5L140ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IPD031N06L3GATMA1 توسط Infineon و IAUZ30N06S5L140ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
IPD031N06L3GATMA1 - 60V 100A 3.1mΩ N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
IPD031N06L3GATMA1 ✓ فعال
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IPD031N06L3GATMA1 | IAUZ30N06S5L140ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 400 A | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 167 W | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 3.1 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.2 V | 2.2 V (typ) |
| Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) | 4.5 V, 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) Typ | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| محدوده دمای کاری | -55°C to +175°C | — |
| بسته‌بندی | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TSDSON-8-32 (S3O8, 3x3 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| سطح MSL | 1 (Unlimited) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 30 A (Tj) |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 33 W |
| RDS(on) Max @ VGS=10 V | — | 14 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 12.2 nC @ VGS=10 V |
| Output Capacitance (Coss) | — | 888 pF @ VDS=30 V |
| دمای اتصال کاری | — | -55°C to +175°C |
| Technology Family | — | OptiMOS 5 |
| Automotive Grade | — | AEC-Q101 qualified |
| Gate-Source Voltage Max | — | ±20 V |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (RoHS compliant) |