IPD034N06N3GATMA1 vs BSC094N06LS5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD034N06N3GATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC094N06LS5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 - 60V 100A OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPD034N06N3GATMA1 - 60V 100A OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPD034N06N3GATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD034N06N3GATMA1 BSC094N06LS5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
Technology N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 3) OptiMOS™ 5 (logic-level)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 167 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.4 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 4 V at 93 uA —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
پیکیج PG-TO252-3 (DPAK) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Pin Configuration 3-Pin (2 + Tab) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: Tj min/max] —
RoHS اسٹیٹس Compliant (Pb-free green finish) Compliant
Automotive Qualified Yes (per Infineon product page) —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Part Number — BSC094N06LS5ATMA1
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 47 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
RDS(on) max at VGS=10 V — 9.4 mΩ
RDS(on) max at VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 36 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 °C to +150 °C

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں