IPD090N03LGATMA1 vs IPD90N03S4L02ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD090N03LGATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD90N03S4L02ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IPD90N03S4L02ATMA1 - 30V 90A OptiMOS-T2 N-Channel MOSFET | Infineon
IPD90N03S4L02ATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD090N03LGATMA1 | IPD90N03S4L02ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C | 40 A | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=100C | [DATA_NEEDED: Id at 100C] | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | [DATA_NEEDED: pulsed Id] | — |
| Maximum Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C | 42 W | — |
| On-State Resistance (Rds(on)) @ Vgs=10V, Id=30A | 9 mOhm (typical) | — |
| On-State Resistance (Rds(on)) @ Vgs=4.5V | [DATA_NEEDED: Rds(on) at 4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Output Capacitance (Coss) | [DATA_NEEDED: Coss] | — |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | [DATA_NEEDED: Qrr] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C (junction) | — |
| پیکیج | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK, surface mount) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | 1 (unlimited) | MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant (Green Package) |
| Technology Family | OptiMOS 30V | — |
| Configuration | Single | — |
| Technology | — | MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS-T2 trench |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 90 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 136 W |
| RDS(on) Max at VGS=10 V | — | 2.2 mΩ |
| RDS(on) Max at VGS=4.5 V | — | [DATA_NEEDED: typical value at VGS=4.5 V] |
| Gate Drive Voltage (VGS) | — | 4.5 V to 10 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical value] |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55°C to +175°C |
| Avalanche Rated | — | 100% Avalanche tested |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Series | — | OptiMOS-T2 |