IPD30N08S2L21ATMA1 vs IPD30N06S2L13ATMA4 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD30N08S2L21ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD30N06S2L13ATMA4 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD30N08S2L21ATMA1 | IPD30N06S2L13ATMA4 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10 V | 26 milliohm (typ) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic-level (L series) | — |
| Gate Charge (Qg) typ | 56 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 136 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C | — |
| Maximum Junction Temperature | +175C | — |
| پیکیج | PG-TO252-3-11 (DPAK-2) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پن کی تعداد | 3 (Drain tab + Gate + Source) | 3 (Drain tab + Gate + Source) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| MSL لیول | 1 | — |
| Part Family | — | OptiMOS |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Mode | — | Enhancement |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (Id) | — | 30 A (Tc) |
| Power Dissipation (Pd) | — | 136 W (Tc) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (Green Package) |
| Avalanche Tested | — | 100 % production-tested |
| Technology | — | Planar (OptiMOS) |
| On-State Resistance (Rds(on)) | — | [DATA_NEEDED: exact typ/max Rds(on) at Vgs=10V and at Vgs=4.5V] |
| Gate-Source Threshold (Vgs(th)) | — | Logic-level (typ [DATA_NEEDED: Vth typ/min/max]) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg @ Vgs=10V, Id=30A] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss typ at Vds=25V] |
| Diode Reverse Recovery (trr) | — | [DATA_NEEDED: trr typ] |
| Tape and Reel Packaging | — | Yes (T&R per IEC 60286-3) |