IPD30N10S3L34ATMA2 vs IPD30N10S3L34ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD30N10S3L34ATMA2 بذریعہ Infineon اور IPD30N10S3L34ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPD30N10S3L34ATMA2 IPD30N10S3L34ATMA2 - 100V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N10S3L34ATMA2 - 100V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N10S3L34ATMA2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD30N10S3L34ATMA2 IPD30N10S3L34ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 30 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 180 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 57 W —
R_DS(on) max at V_GS=10V 31 mOhm (typ) —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) max 2.4 V —
Total Gate Charge (Qg) max 31 nC —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 C to +175 C -55°C to +175°C
Package / Supplier Device Package PG-TO252-3-11 (DPAK) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Pin / Tab Count 3 (2 + Tab) —
Technology OptiMOS-T (trench) —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow)
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-T2
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 30 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 180 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 57 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 31 mΩ @ VGS=10 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V)
Total Gate Charge (Qg typ) — 23 nC
پیکیج — PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63)
RoHS / REACH — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — 100% Avalanche tested

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں