IPD35N10S3L26ATMA1 vs IPD30N08S2L21ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD35N10S3L26ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD30N08S2L21ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD35N10S3L26ATMA1 | IPD30N08S2L21ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPD35N10S3L26ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS-T (N-channel enhancement mode trench MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 35 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 180 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10 V | 26 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.7 V | — |
| Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 71 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55°C to +175°C | — |
| پیکیج | PG-TO252-3-11 (DPAK-2) | PG-TO252-3-11 (DPAK-2) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | MSL1 (up to 260°C peak reflow) | 1 |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| Avalanche Tested | 100% avalanche tested | — |
| RoHS / Halogen-Free | RoHS compliant, Green product (halogen-free) | — |
| Typical Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg from datasheet] | — |
| Series | — | OptiMOS |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 30 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10 V | — | 26 milliohm (typ) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | Logic-level (L series) |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 56 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 136 W |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55C to +175C |
| Maximum Junction Temperature | — | +175C |
| پن کی تعداد | — | 3 (Drain tab + Gate + Source) |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |