IPD35N10S3L26ATMA1 vs IPD30N08S2L21ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD35N10S3L26ATMA1 מאת Infineon ו IPD30N08S2L21ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPD35N10S3L26ATMA1 | IPD30N08S2L21ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPD35N10S3L26ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS-T (N-channel enhancement mode trench MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 35 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 180 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10 V | 26 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.7 V | — |
| Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 71 W | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55°C to +175°C | — |
| מארז | PG-TO252-3-11 (DPAK-2) | PG-TO252-3-11 (DPAK-2) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| רמת MSL | MSL1 (up to 260°C peak reflow) | 1 |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| Avalanche Tested | 100% avalanche tested | — |
| RoHS / Halogen-Free | RoHS compliant, Green product (halogen-free) | — |
| Typical Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg from datasheet] | — |
| Series | — | OptiMOS |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 30 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10 V | — | 26 milliohm (typ) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | Logic-level (L series) |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 56 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 136 W |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55C to +175C |
| Maximum Junction Temperature | — | +175C |
| מספר פינים | — | 3 (Drain tab + Gate + Source) |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |